삼성전자가 세계에서 처음으로 3나노미터(㎚·10억분의 1m)
공정으로 만든 파운드리 제품 출하식을 열었다.
삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 라인인 'V1'에서
차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노
파운드리 제품의 출하를 기념하는 행사를 개최했다.
이창양 산업통상자원부 장관을 비롯해 경계현 사장 등 임직원,
협력사 관계자까지 100여 명이 참석했다.
이날 현장에서 삼성전자는 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를
향해 나아가겠습니다'라는 문구가 새겨진 제품 선적 차량을
공개하며 자신감을 드러냈다.
경 사장은 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에
한 획을 그었다"며 "기술적 한계에 다다랐을 때 GAA 신기술
조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"
라고 말했다.
이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의
노고에 감사를 표했다.
이 장관은 "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와
시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부했다.
그는 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을
바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성 등에 전폭적인 노력을
아끼지 않을 것"이라고 덧붙였다.
①-1 삼성 '3나노 반도체' 세계 첫 출하…4년내 고객사 3배 확대 (서경 윤경환 기자·강해령 기자) 2p
칩 면적 줄이고 성능은 높여
"파운드리 사업에 한획 그어"
삼성전자가 세계 최초로 양산한 게이트올어라운드(GAA) 기반
3㎚(나노미터·10억분의 1m) 반도체 공정 제품을 공식 출하했다.
차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업에서 대만 TSMC를
따라잡고 1위로 올라설 주춧돌을 놓았다는 평가가 나온다.
삼성전자는 25일 경기 화성 공장 내 극자외선(EUV) 전용 V1
라인에서 차세대 트랜지스터인 GAA 기술을 적용한 3나노
파운드리 제품 출하식을 열었다
② 美상원 '중국 견제' 반도체법 금주 처리 전망…'칩4 동맹' 본격화되나 (아주 권성진 기자) 3p
반도체 기업 지원 동시에 중국 투자 제한
미국 상원이 반도체 산업에 총 520억 달러(약 68조원)를 지원하는
법안을 조만간 처리할 전망이다.
해당 법안이 통과되면 중국을 견제하는 반도체 동맹인 '칩4' 추진이
본격화될 것으로 보인다.
24일(현지시간) 워싱턴포스트(WP)는 상원이 25일 반도체 산업
육성법안 토론에 대한 종결 투표를 실시한다고 보도했다.
③ "반도체 굴기 포기 안해"…中, 2024년까지 반도체 공장 31곳 신설 (아이뉴스24 민혜정 기자) 5p
28나노 MCU·전력반도체 생산 확대에 힘써…미국, 지원법으로 中 견제할 듯
중국이 세계에서 가장 빠르게 반도체 공장을 늘리며
'반도체 굴기' 꿈을 포기하지 않고 있다.
중국은 미국과 한국 반도체 기업이 강점이 있는 첨단
반도체보다는 중저가 구형 반도체 양산에 힘을 쏟을
전망이다.
24일(현지시간) 월스트리트저널(WSJ)에 따르면
국제반도체제조장비재료협회(SEMI) 기준 중국이
최근 4년(2021~2024년) 동안 건설 중이거나 건설할
예정인 반도체 생산기지 수는 31개로 세계 최다다.
같은 기간 대만(19개)과 미국(12개)을 압도한다.
④ 주문 줄고 가격 뚝…반도체 겨울 시작되나 (한경 박신영 기자) 6p
하반기 낸드·D램 가격 하락 전망
스마트폰 등 고객사 주문량 감소
파운드리 업체 협상력 떨어질 듯