자이스 전자현미경. 자이스 제공독일 광학 전문 업체 자이스(Zeiss)가

한국에 전자현미경·반도체 연구개발(R&D) 센터를 짓는다.

이와 함께 4년간 480억원을 투자해 한국 시장 공략에 대한 고삐를 죈다.

정현석 자이스코리아 대표는 23일 경기 동탄 '자이스 코리아 이노베이션

센터'에서 열린 기자간담회에서 "이르면 내년 개소를 목표로 전자현미경

연구개발시설(RMS)과 반도체 연구개발 시설(PCS) 등을 건립하고 있다"

고 말했다.

자이스코리아는 현재 고객사와 함께 부지 선정 등 R&D 센터를 짓기 위한

협의를 진행하고 있다.

정 대표는 "반도체 산업 생태계가 풍부하게 구축된 한국에서 고객사와

최대한 가까운 지역에서 제품을 제작하기 위해 다방면에서 논의 중"이라고

전했다.

자이스가 전자현미경 R&D 센터를 짓는 건 독일 본사 외에 한국이 최초다.

반도체 R&D 센터 역시 한국이 아시아 국가 중에선 처음이다.

전자현미경 R&D 센터에선 반도체와 항공, 모빌리티 등 다양한 산업군에

활용될 수 있는 계측 제품 등을 고객사 맞춤형으로 제작할 계획이다.

반도체 R&D 시설에선 반도체 제조사와 함께 신규 솔루션을 개발한다.

자이스코리아는 오는 2026년까지 한국 시장에 총 480억원에 달하는

투자를 단행하기로 했다.

여기엔 지난달 산업통상자원부가 자이스 투자 유치에 성공한 150억원도

포함돼 있다.

지난 3년간 이 회사가 한국에 투자한 금액은 50억원 안팎이다.

② [단독] “최고 속도·최저 전력” 삼성전자, 20년 공들인 차세대 ‘M램’ 공개 (조선비즈 황민규 기자) 2p

세계 최대 반도체학회서 M램 개발 성과 발표
14나노 공정 적용해 기존 M램보다 속도 2.6배 향상
”AI, 빅데이터 확산과 함께 M램 시장도 급성장”

삼성전자가 D램과 낸드플래시의 장점만 취한 차세대 메모리 ‘M램(MRAM)’을

한 단계 더 진화시킨 버전을 공개했다.

지난 2002년부터 차세대 메모리 개발에 본격적으로 투자해온 삼성전자가 이번에

내놓은 M램은 더욱 정교한 미세공정을 접목해 현재까지 세계에서 발표된 메모리 중

가장 데이터 읽기 속도가 빠르고 에너지 효율이 높은 것으로 알려졌다.

이번에 삼성전자 연구진이 개발에 성공한 내장형(e) M램은 기존 28㎚

(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 공정에서 자기터널접합

(MTJ: magnetic tunnel junction)을 14㎚ 핀펫(FinFET) 공정으로

고도화해 성능을 대폭 향상한 것으로 알려졌다.

M램은 D램과 구조가 유사하지만 커패시터(capacitor) 대신 복잡한

구조의 MTJ를 사용한 메모리 반도체다.

자성체의 일종인 MTJ가 스핀(Spin)하면서 빠른 속도로 전자(電子)를

이동시키며 데이터를 읽고 쓰는 방식으로 작동한다.

이 때문에 스핀주입자화반전메모리(STT-M램)라고 불리기도 한다.

M램의 데이터처리 속도는 D램보다 10배 이상, 낸드플래시보다 1000배 이상

빠르지만 생산단가는 월등히 낮은 편이다.

또 차세대 메모리 후보군 중에선 비교적 구조도 단순한 편이어서 최대 2㎚까지

미세 공정이 가능한 것으로 알려졌다.

D램보다 미세화하기 쉬운 구조다.

M램의 또 다른 특징은 수명이 사실상 영구적이라는 점이다.

미국 시장조사업체 테크나비오(Technavio)에 따르면 M램 시장 규모는

2024년 9억5271만달러(약 1조3000억원) 규모로 성장할 것으로 전망된다.

AI, 빅데이터, 사물인터넷(IoT) 등 다양한 분야에 활용되기 시작하며 오는

2024년까지 연평균성장률도 39%에 달할 것으로 예상됐다

③ 왜 미국 말 들어야 하냐…ASML "中에 반도체 장비 팔겠다" (한경 박신영 기자) 3p