① 이재용, 벨기에 아이멕과 논의한 신무기… “웨이퍼 앞뒷면 다 쓴다” (조선비즈 박진우 기자) 1p

반도체, 미세공정 위한 여러 방안 개발
3나노부터 세계 최초 GAA 적용한 삼성
3차원 개념 도입하는 초미세공정
이재용 부회장, 6월 기술 제안한 벨기에 imec 방문

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 2025년 2㎚(나노미터·10억분의 1m),

2027년 1.4㎚ 공정에 웨이퍼(반도체 원판)의 뒤쪽 면을 활용하는 기술을 도입한다.

기존 2차원(2D)적인 반도체를 3차원(3D)으로 확장하는 것이다.

해당 기술은 유럽 최대 종합반도체 연구소 imec(아이멕)이 최초 고안한 것으로,

이재용 회장이 지난 6월 imec을 찾아 이와 관련한 논의를 나눈 것으로 알려졌다.

삼성전자는 3㎚ 공정에서 게이트올어라운드(GAA)라는 새구조를 처음으로

상용화한 만큼 2㎚ 공정에서도 1위 TSMC에 기술 우위를 점하겠다는 전략을

세웠다.

27일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 2㎚ 공정부터 웨이퍼의 뒤쪽을 활용하는 기술

‘BSPDN(백사이드파워딜리버리네트워크)’을 활용한다.

이 기술은 반도체 성능 한계를 뛰어넘기 위해 고안된 것으로,

지난 2019년 벨기에 루벤에 있는 유럽 최대 종합반도체 연구소

imec이 제안한 개념이다.

최근 삼성전자 파운드리의 기술개발 연구직원이 국내 반도체 포럼에서

이런 내용을 발표해 화제가 됐다.