① “못 받으면 망한다” 1대 5000억 ASML 최신 장비 확보전 나선 삼성·인텔·TSMC (조선비즈 최지희 기자) 1p

초미세공정 필수인 ‘하이 NA EUV’
2025년 출시 예정, 업체들 “꼭 필요해”
“빨리 받아야 노하우 더 쌓아”
기존 EUV 장비도 공급 부족한 상황

최첨단 반도체 공정 경쟁을 벌이고 있는 삼성전자와 SK하이닉스, 인텔, TSMC 등이

차세대 극자외선(EUV) 장비를 확보하기 위해 경쟁을 펼치고 있다.

이 장비를 전 세계 독점 공급하는 반도체 장비 회사 네덜란드 ASML은 반도체 기업들이

장비를 모두 발주했다고 밝혔다.

21일 ASML에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 현재 개발 단계에 있는 차세대 노광장비

‘하이 렌즈수차(NA) EUV’를 주문했다.

이 장비는 기존 EUV 장비에 비해 렌즈 해상력을 높인 제품이다.

해상력은 렌즈가 화면이나 물체를 실제 모습처럼 비칠 수 있는 능력으로, NA라는 수치로

표현한다.

이 수치가 높으면 해상력이 증가하고, 빛 굴절률이 낮아져 초미세회로를 웨이퍼(반도체 원판)

에 새길 수 있다.

기본 EUV 장비 가격이 약 1억6000만유로(약 2200억원)라면 하이 NA EUV 장비는

3억5000만유로(약 4900억원)를 호가한다.

ASML이 2025년 양산을 목표로 개발하고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스뿐 아니라 인텔, TSMC 등 기존 미세공정에서 경쟁 중인 다른 반도체

기업들도 모두 이 장비를 주문했다는 게 ASML 설명이다.

삼성전자는 2025년 2㎚(나노미터·10억분의 1m), 2027년 1.4㎚ 미세공정 반도체 양산

계획을 밝히고 있다.

계획대로 제품 생산이 이뤄지려면 하이 NA EUV 장비가 꼭 필요한 상황이다.

SK하이닉스도 차세대 D램 개발을 위해 이 장비가 필수라고 밝혔다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 “현재 D램은 10㎚급 1a(4세대) 초기 단계에서 양산하고 있는데,

1d(7세대) 수준에서는 핀과 핀 사이의 공간이 너무 가까워져 트랜지스터 동작의 어려움이 예상된다”

며 “기존의 EUV 노광 장비만으로는 어렵고, 하이 NA EUV가 필요하다”고 말했다.

하이 NA EUV의 기술 난도가 워낙 높은 탓에 반도체 업계는

이 장비를 먼저 받기 위한 확보전에 돌입했다.

장비를 적기에 받지 못할 경우 미세공정 경쟁에서 뒤처질 수 있다는

위기감에 따른 것이다.

업계 관계자는 “장비를 빨리 도입할수록 양산 노하우는 더 많이 쌓인다”

며 “반도체는 생산 수율(양품 비율)이 중요한데, 이는 양산 노하우가

쌓여야만 높일 수 있기 때문에 장비를 경쟁사보다 하루라도 더 빨리

받으려고 하는 것이다”라고 했다.

무엇보다 업계는 이번 반도체학과 신설이 TSMC와 연계되어 있다는 점에

주목하고 있다.

해당 학과 커리큘럼에는 TSMC가 요구하는 기술들이 반영될 예정이다.

이에 따라 졸업생들은 향후 TSMC로 취업하는 데 혜택을 받을 것으로 알려졌다.

③ 블룸버그 "미중 반도체전쟁 미국이 이미 지고 있다" (서울=뉴스1 박형기 기자) 5p